韓国経済、サムスン、10ナノ非メモリー半導体の量産開始=世界初 来年発売予定のギャラクシーS8に搭載へ
記事要約:サムスン電子が10ナノ非メモリー半導体の量産を開始したそうだ。世界初で来年発売予定のギャラクシーS8に搭載するとのこと。最近、サムスン電子は株価対策に必死にニュースをリンクしているが実際のところ、スマホ販売できるかすら怪しい状態でのこの発表には信憑性がない。そもそも、今から量産するようなものを来年の2月に間に合うとは思えないんだよな。後、3ヶ月半しかないのだぞ。
非メモリーとは何のことかとおもったら、スマホに搭載されているCPUのことらしい。確か、iPhone6sでサムスン製か、台湾製かで性能がかなり異なることがあった。それで台湾製の方が性能が良くてどっちになるかが運試しになっていた。もっともいくら10ナノ非メモリーを量産できても安全や性能で負けていては意味がないがな。
iPhone7ではサムスン製のCPUは使われているとは聞かないので、もう台湾製に全て交換したのだろう。非メモリー分野でも最高レベルの技術力を証明したとか嘘付くのは良いが、その前に爆発原因の特定は済んだのか?既に他の企業ならとっくに特定して再発防止策を打ち出していることだろうな。そもそも、爆発するスマホを製造しないか。もっとも、日本で発売するのはやめてほしい。でも、さすがに大手は取り扱わないか。
CPUは爆発しない?うーん。まあ、普通は爆発しないんだが、サムスン電子の実力は世界1だから爆発するCPUやチップだって量産できるのだ。もっとも、サムスン電子が凄いんじゃなくて、非メモリーを量産できる機械装置を造った会社が凄いんだが。サムスン電子はただの組み立て工場に過ぎない。しかし、こういった会社は表に出てこないんだよな。でも、管理人はただの株価対策だと思う。
実際、量産してギャラクシーS8に搭載しても爆弾スマホと認識されているものを購入するユーザーがどれだけ現れるのか。おそらく半分以下だろうな。もっとも飛行機に持って行けるかとか、米国の小売りや通信業者が取り扱ってくれるかが焦点となるか。管理人的には次に何らかの事故が起きればもうサムスン電子はスマホ事業では生きていけないと考えている。そもそも、年内には爆発の原因を特定できてないと厳しいだろう。
今日のサムスン電子の株価。朝は下がっていたのだが、おそらくこのニュースが出たことで上昇したのだろう。でも、前日よりは少し下がって取引を終えている。株価対策にはなったと思われるが、もっとも、どこまで信憑性があるかは微妙だからな。
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韓国経済、サムスン、10ナノ非メモリー半導体の量産開始=世界初 来年発売予定のギャラクシーS8に搭載へ
サムスン電子は17日、回路の線幅が10ナノメートル(1ナノは10億分の1)の非メモリー半導体の量産を世界で初めて開始したと発表した。
メモリー半導体で世界1位のサムスン電子が、非メモリー分野でも最高レベルの技術力を証明したことになる。
従来の最先端製品の線幅は14ナノメートルだった。半導体は線幅が細くなるほど生産性と性能が向上するため、線幅を細くすることが核心技術とされる。
今回量産を開始した半導体は、スマートフォンで情報の演算・処理に使われ頭脳の役割を果たす「アプリケーションプロセッサ(AP)」だ。半導体はシリコンウエハーに回路を刻み、それを切り分けて生産するため、線幅が細くなるほど回路が小さくなり、同じウエハーからより多くの半導体チップが生産される。
サムスン電子によると、10ナノメートルの技術を適用することにより、14ナノメートルの製品に比べシリコンウエハー1枚当たりのチップ生産量が30%増加したという。
線幅が細くなってチップのサイズが小さくなれば、電力消費量が減少し、動作ス2ピードも速くなる。半導体内部で電流が流れる物理的空間が狭くなるからだ。10ナノメートル半導体の計算速度は14ナノメートル半導体に比べ27%向上し、電力消費量は40%減少した。
この半導体を搭載すればスマートフォンの動きも速くなり、バッテリー消費も節約できる。サムスン電子は来年初に発売予定のスマートフォン「ギャラクシーS8」にこの半導体を搭載し、その後製品群を拡大する予定だ。
サムスンは他社が設計した半導体の委託生産(ファウンドリ生産)事業でも10ナノメートル技術を本格的に適用する計画だ。サムスン電子はファウンドリ分野で世界4位につけている(2015年の売上高基準)。
サムスンは今回、ファウンドリ分野で世界1位の台湾TSMCより先に10ナノメートル半導体の量産を開始することで、顧客企業を積極的に増やしていく戦略だ。
サムスン電子は顧客企業が容易に半導体設計図を作成できるよう、開発ツールを提供するなどファウンドリ事業拡大にも積極的に乗り出している。
サムスン電子ファウンドリ事業チームのユン・ジョンシク・チーム長(副社長級)は「来年以降も10ナノメートル技術の開発を続け、非メモリー半導体事業を育成したい」と述べた。
朝鮮日報/朝鮮日報日本語版 チェ・ミンギ記者
(http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2016/10/17/2016101703313.html)